大直径FZSi中的微缺陷研究

大直径FZSi中的微缺陷研究

经过化学-机械抛光后,用常规的检验旋涡缺陷的方法没有观察到旋涡缺陷的FZSi片,用高温热氧化法有时则可以观察到明显的旋涡状分布的条纹图形.使用FTIR、XPS、 SEM能谱分析等手段的测量结果表明,这种旋涡

状分布的图形与晶体中的掺杂剂(磷、硼)和杂质氧、碳以及重金属杂质没有明显的依赖关系,它是硅中点缺陷在晶体径向截面上呈不均匀条纹状分布的结果.本文对大直径FZSi中的旋涡缺陷的形成机理和消除方法进行了初步的探讨.

作 者： 张维连 赵红生 孙军生 张恩怀 陈洪建 高树良 刘涛 胡元庆 李颖辉 郭丽华 作者单位： 张维连,赵红生,孙军生,张恩怀,陈洪建(河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130)

高树良,刘涛,胡元庆,李颖辉,郭丽华(天津半导体材料厂,天津,300130)

刊 名： 人工晶体学报 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS 年，卷(期)： 200231(6) 分类号： O77 关键词： FZSi 旋涡缺陷 热对流 点缺陷